三星、海力士獲準向在華工廠提供設備，國内存儲廠商受衝擊？

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日期：2023年10月11日 下午4:05作者：雲知風起 編輯：Annie

據外媒消息稱，美國同意三星電子和SK海力士向其位於中國的工廠提供設備，無需其它許可。此消息一出，二級市場投資者炸開了鍋，看多與看空觀點交織不斷。

多方觀點認為，老美此次同意三星電子和SK海力士向國内廠商提供設備，或是關系的「破冰」，對於國内半導體產業或是一種利好。空方觀點認為，三星電子和SK海力士向中國工廠提供設備可能會影響國内相關半導體企業的「發育」。

對於此事看法，財華社咨詢行業人士，以及從券商及投行觀點來看，絕大多數觀點持正面且積極態度，認為此舉有助於穩定全球半導體供應鏈。同時，國產替代大勢所趨，國產半導體產業鏈依舊大有可為。

影響或許並不大，但不確定性得到消除

據悉，三星電子、SK海力士分别是全球最大和第二大的存儲芯片制造商，且都在國内建設了生產線。其中，三星電子在西安建廠生產NAND（閃存）芯片，而SK海力士則在無錫和大連分别建廠，生產DRAM（動態半導體存儲器）芯片和NAND芯片等半導體產品。

近年來，美國對中國内地的半導體產業進行了嚴密封鎖，並造成了很大困擾，但在一定程度上也促進了内地半導體產業的發展。

眾所周知，半導體產業是一個高度專業化、分工明確的行業，各個環節是緊密聯系的，下遊的制造工廠也需要上遊的設備廠商提供支持。

在美國對中國内地的半導體產業進行限制後，美系半導體設備廠商就無法繼續向位於中國内地的半導體制造商供應半導體設備、零部件及技術支持。身為存儲芯片制造領域的龍頭，三星電子和SK海力士也受到了影響。

不過，在韓國政府及企業的反對下，美國政府對三星電子和SK海力士在中國工廠的相關設備進口予以了為期一年的豁免權，豁免有效期至2023年10月11日。

如今，在距離此前豁免期限還有兩天時間，而三星電子和SK海力士向其中國工廠供應設備已獲得無限期豁免。

從時間上來看，直接就給連上了。

可見，這則最新消息產生的實質影響並不大，只不過以前需要每年申請，現在無需申請了而已。

而對於無限期豁免這件事，三星電子發佈聲明稱，「通過與相關政府的密切協調，公司在中國的半導體生產運營相關的不確定性已大大消除」。

華金證券表示，此舉有助於穩定全球半導體供應鏈。

全球存儲芯片市場現狀如何？

隨著ChatGPT的爆火，算力的重要性為人所共知。然而，只要有數據就離不開存儲，存力的重要性同樣不容小觑。

近年來，在消費電子領域的需求之外，電動汽車、AI服務器等新型終端或應用的誕生及爆發，也為拉動數據存儲需求做出了比較大的貢獻。

因此，從存儲芯片的發展前景來看，這是一條長期高成長的賽道，市場容量很大。

根據世界半導體貿易統計（WSTS）數據，2021年全球半導體行業規模達到5559億美元，同比增長26%。其中，存儲器細分賽道的佔比為28%，市場規模為1538億美元，同比增長31%，是半導體市場中規模最大的子行業。

進入2022年，根據WSTS數據統計，全球存儲器市場規模佔據半導體市場的23.17%，出現了一定程度的下滑，但佔比依然很高。

在存儲芯片内部又可細分為多種品類，從結構上看，DRAM（動態隨機存取内存）和NAND Flash（閃存）是存儲芯片的核心品類，多年來一直佔據存儲芯片市場的絕大部分份額。

根據中商情報網的數據，2022年DRAM全球市場規模為790.61億美元，佔比56.8%；NAND Flash全球市場規模為601.26億美元，佔比43.2%。

回顧DRAM細分領域的發展歷史，該市場經歷一系列並購整合，競爭格局如今呈現寡頭壟斷局面，市場的領導者則由最開始的美系廠商轉變成了日系廠商，再轉變成如今的韓系廠商。

根據Statista的數據，2022年，三星電子、美光科技（MU.US）、SK海力士合計佔據了DRAM市場94%的市場份額，分别達43.10%，27.72%和24.50%。

全球NAND Flash市場一直相對集中，2021年前六大供應市場份額合計佔比超過95%。其中，三星電子、铠俠、西部數據（WDC.US）市場份額佔比分别為34%、19%、14%，分别排名前三。

綜合而言，從全球範圍内來看，走過「百花齊放」的階段後，當下的存儲芯片行業已經為少數幾家頭部廠商所壟斷。

國產替代前景依然廣闊

回到國内，國内的存儲芯片需求極為龐大，根據中信建投證券的研報，這塊市場規模超過了全球存儲芯片市場的1/3，而存在的問題是自給率很低，只有個位數。

不過，最近幾年，也有很多國内企業在存儲芯片領域投入研發，已經有一批「選手」脫穎而出了。

在大宗市場，DRAM領域，國内的「種子選手」是長鑫存儲；NAND Flash領域，國内的「種子選手」則是長江存儲。

據了解，長江存儲作為國產NAND Flash廠商於2017年成功研制中國第一顆3DNAND閃存芯片，2018年長江存儲32層NAND Flash的量產，2019年64層NAND Flash的量產，2020年推出128層NAND Flash。

雖然被制裁，但長江存儲依然表現不俗，於2022年世界閃存峰會上，該公司正式發佈了基於Xtacking®3.0技術的第四代TLC三維閃存X3-9070。這款閃存芯片擁有232層的NAND結構，足可以與同期SK海力士發佈的238層芯片相比，引發了廣泛關注。

利基市場主要包含了4GbDDR4及以下的DRAM，2DNAND及NOR Flash、EEPROM等品類的產品，毛利較低，市場規模遠小於主流儲存產品，相應的，技術壁壘也相對較低，海外大廠正逐步退出，中國廠商則迎來了替代機遇。

目前，這部分市場的主要廠商分佈在中國台灣及中國内地，其中位於中國台灣規模較大的廠商有華邦電子、旺宏電子。

而據同花順統計，A股市場存儲芯片概念股有66只，這里面有自己生產存儲芯片的企業，也有存儲芯片領域内設計、封測、材料等其他環節的企業。

其中，存儲芯片生產商主要包括兆易創新（603986.SH）、北京君正（300223.SZ）、瀾起科技、普冉股份（688766.SH）、聚辰股份、東芯股份、紫光國微、江波龍等。

從2023年上半年的業績來看，兆易創新、北京君正、瀾起科技等廠商期内的歸母淨利潤均遭遇了較大幅度的下滑，表現並不是很好。

不過，即使是三星電子這樣的全球龍頭，其業績表現也受到了芯片業務的拖累。

10月10日，該公司公佈了2023年第三季度初步業績。數據顯示，其季度利潤同比暴跌了80%，主要系芯片部門在第三季度持續虧損。

需求低迷之下，行業是一片寒意，海外大廠和中國廠商均受到了影響。

而近期有消息稱，在铠俠、美光科技等海外存儲大廠持續減產的背景下，存儲芯片供給減量，主要存儲廠開始向下遊發出四季度合約漲價通知。不過，目前漲價預期主要集中在DRAM芯片領域，NAND存儲芯片由於渠道庫存依然較高，尚沒有漲價空間。

CFM表示，本輪漲價行情基於供應端減產驅動，還需等待終端市場需求回暖，已經進入復蘇 周期的存儲市場預計將在持續博弈中走出行情。

結語

回看日、韓存儲芯片產業的崛起往事，產業大背景、新興產業需求和政策扶持是行業發展起來的必要條件，而當下中國也具備了這些要素。

在國產替代的大趨勢下，好好鑽研技術的國内存儲芯片廠商將有望實現騰飛，搶佔更多市場份額。因此，待需求端回暖後，相關概念股的長期前景值得關注。